シリコン 化合物半導体 移動度 190792-シリコン 化合物半導体 移動度
Ppt 結晶工学特論 Part I 鍋谷暢一 化合物半導体とエピタキシー Powerpoint Presentation Id
図1 化合物半導体の種類 2．化合物半導体の物性 主な化合物半導体の物性を表1にまとめています。デバイス物性として重要なバンドギャップ、遷移型、 格子定数、熱膨張係数、熱伝導率、移動度、絶縁破壊電界等の値を示しています。ヘテロ構造の作製に一方，igzoよりも高い電界移動度を有する新しい酸 化物半導体材料の開発も進んでいる。これは，画素だけ でなく，額縁部の制御ドライバにもtftを適用したい 要求からきている。表2にこれまで発表されている代表 的な高移動度材料 4）～11）を示す。insnzn
シリコン 化合物半導体 移動度
シリコン 化合物半導体 移動度-シリコン（ケイ素）と比べて化合物半導体は、①電子の移動度が高い（走行速度が速い）、②発光現象がある（キャリアのエネルギーを光に変えやすい）等の特徴を持つものもあります。 ＜シリコン（ケイ素）＞ 半導体の材料として一番使われているシリコンは地球上で2番目に多い元素で、その辺の石ころの中にもかなりの量のシリコンが含まれています。 ただし、シリコン単体としてではなく酸素化合物半導体のガリウムひ素(GaAs)の それと比べると シリコンが大きく,し たがって電子移動度が小さい。 こ のため超高速デバイス用材料として,シ リコンはガリウ ムひ素に一歩譲る結果となる。 多結晶シリコン(polySi)は,単 結晶シリコンの多く の結晶粒子がいろいろの方位をもった集合体であり,粒 子間に結晶粒界(grain boundary)が 存在する。 多結晶 であることに起因する効果は,結 晶粒径が
高電子移動度トランジスタ Wikipedia
的大きいので、移動度はあまり大きくなりません。このため、シリコンで作る電子デバイスの最高動作周波 数は、大体6080ghz 程度 と見積もられています。 それよ り高い高周波・ 高速で動作する電子デバイスに は次に述べる iiiv族化合物半導体が使われ図1 高電子移動度トランジスタ(HEMT)の断面図 また一方で、シリコン デバイスの限界を超えてすばやく働く素子として、電子移動の速い化合物半導体を利用しようという開発競争も盛んだったのです。その化合物として特に注目されたのが〈ガリウム・ヒ素〉（GaAs）でした。 こうした開発化合物半導体とは｜サムコ株式会社の半導体製造装置入門です。Semiconductor And Materials Company― Samcoは半導体と材料開発の分野で躍進していくことから名付けられています。薄膜技術を核に、プラズマCVD装置、ドライエッチング装置、ドライ洗浄装置といった半導体製造装置を製造
移動度300K (cm2V1s1) ・シリコンウェーハと比べ、高い値段がネックとなっている。 － LED向けGaN薄膜用基板に大部分使用。 ・化合物半導体の出荷金額は00年度迄は年平均10％の好調な伸びだっ たが、ITバブル崩壊で01年度に急激な減少があり、成長が停滞中。 ・直近の世界シェアは 高い 移動度を有する iiiv族化合物半導体とゲルマニウム (ge) を チャネルに採用した次世代高性能iiiv/ge cmosトランジスタを世界で初めて実現しました。 従来のシリコン (si) トランジスタでは性能向上に限界があり、0%以上の性能向上は困難でしたが、今回のiiiv/ge cmosトランジスタの実現により2)電 子移動度 図1化 合物半導体とそのバンドギャップに相当する 発光波長 表2電 子移動度(300K) 主な半導体結晶中の電子移動度を表2に 示す。この表 に示した化合物半導体の電子移動度はSiの それより大 きいことがわかる。特にGaAsはSiよ りおおきなバン
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化合物半導体 化合物半導体とは二つ以上の元素からできている物質で、FaAs、InAs、Insb、InGaN、InGa、AsPなどをいいます。 化合物半導体の周期表 化合物半導体の性質 ①電子移動度が早いため高速動作に優れている ②耐熱性にすぐれているので高温度下での使用が可能 ③2つの元素を32 エネルギー帯構造と移動度 いま一直線上に等間隔(ので配列された原子列を考え, この1次 元空間を進行する波数k=2π/λ(λ は波長)を 持つ電子波を取扱うことにしようx線 の場合と同様に 表1 主要な半導体の基礎的性質 632 (48) テレビジョン
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